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单选题 MOSFET的小信号参数________反映MOSFET的放大控制能力,________反映沟道调制效应
A. 
B. 
C. 
D. 
学科：模拟电子技术
时间：2023-06-03 15:08:33
题目1单选题
BJT的发射结动态电阻rbe的计算式是__________,其中rbb'为基区体电阻,一般为几十到几百欧姆A. B. C. D.
题目2单选题
BJT的小信号参数________反映了BJT的基区宽度调制效应(厄利效应),其值很大,一般为几百kΩ以上A. B. C.
题目3单选题
MOSFET的小信号参数________反映MOSFET的放大控制能力,________反映沟道调制效应A. B. C. D.
题目4多选题
MOSFET的转移跨导gm的计算式为__________A. B. C. D.
题目5多选题
以下参数中,__________是BJT的极限参数A. 集电极最大允许电流ICMB. 集电极穿透电流ICEOC. 集电极最大允许功耗PCMD. 极间反向击穿电压E. 特征频率fTF. 共射电流放大系数β
题目6单选题
MOSFET的小信号模型参数________反映MOSFET的放大控制能力,________反映沟道调制效应A. B. C. D.
题目7单选题
N沟道增强型MOSFET的开启电压是( ),P沟道增强型MOSFET的开启电压是( )A. 正值,正值B. 正值,负值C. 负值,正值D. 负值,负值
题目8多选题
当电路同时满足以下哪些条件时,BJT可以用小信号模型来等效A. 电路的静态工作点必须处于放大区B. 输入交流小信号或动态范围不超出特性曲线的线性区C. 输入必须是直流信号D. 电路的静态工作点必须在饱和区
题目9多选题
MOSFET的转移跨导gm的计算式为__________.(其中kn=βn/2=(μC0*W/2L),称为电导常数)A. B. C. D.
题目10判断题
BJT是电流控制器件,MOSFET是电压控制器件