登陆题目详情
单选题 当NPN晶体管的发射结和集电结都处于正偏时就会进入( )
学科：集成电路设计
时间：2023-11-14 07:31:55
相关题目
相关作业
题目1单选题
单词"LAYOUT"的含义是A. 版图B. 电路C. 输出D. 层级
题目2单选题
电容的标准单位是( )A. 法拉B. 伏特C. 安培D. 欧姆
题目3单选题
根据版图设计规则中的( )最小宽度,可以确定器件最小沟道长度A. activeB. polyC. metal1D. sp
题目4单选题
使用P型衬底,必须加入深的轻掺杂( )型扩散区用于制作PMOS晶体管A. NB. PC. N或P
题目5单选题
LVS的作用是检查所设计的版图是否与所设计的( )完全一致A. 结构图B. 电路性能C. 电路图D. PCB图
题目6单选题
MOS晶体管是( )端器件A. 2B. 3C. 4D. 5
题目7单选题
当NPN晶体管的发射结和集电结都处于正偏时就会进入( )A. 饱和工作状态B. 线性放大工作状态C. 截止工作状态
题目8单选题
以下是正确的版图设计步骤的是( )A. 先画版图,再设计线路图,然后做LVS,最后是DRCB. 先画线路图,再设计版图,然后做DRC,最后是LVSC. 先画DRC,再设计线路图,然后做LVS,最后是版图
题目9单选题
Gordon Moore在1965年预言:每个芯片上晶体管的数目将每()个月翻一番A. 12B. 18C. 20D. 24
题目10单选题
在当今的集成电路制造工艺中,()工艺制造的IC 在功耗方面具有最大的优势A. MOSB. CMOSC. BipolarD. BiCMOS
下载 题海APP
拍照搜题更快捷
- 海量题库
- 无搜索限制
- 快捷拍照搜题
