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单选题 如果硅片四周的N型硅没有刻蚀干净,就会导致生产出的电池片
学科：光伏电池制备工艺—2023上学期
时间：2023-05-17 11:44:50
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题目1单选题
4.3 如果是单面扩散,那么扩散后硅片的结构示意图正确的是<img src="https://tihai-oss-cloud.itihey.com/img/559e2ba4f4f918a3a4d8a196c6e54455.png">A. <img src="https://tihai-oss-cloud.itihey.com/img/f1be87ab9cc51d3b0711600eb79a1186.png">B. <img src="https://tihai-oss-cloud.itihey.com/img/c005fb42b26493a304ce1bc099b9b996.png">C. <img src="https://tihai-oss-cloud.itihey.com/img/762a30ca8b09db1a5cb4665d48d52874.png">D. <img src="https://tihai-oss-cloud.itihey.com/img/ea68cc7d6e90c072d862aa653dd2b3b5.png">
题目2单选题
如果硅片四周的N型硅没有刻蚀干净,就会导致生产出的电池片A. 短路B. 断路C. 正常,无问题D. 爆炸
题目3单选题
湿法刻蚀后续用臭氧进行处理的作用是A. 增加对紫外线的吸收B. 防止碎片C. 增强抗PID的性能D. 减小硅片电阻
题目4单选题
6.14 PECVD的全称是A. 等离子刻蚀B. 化学气相沉积C. 等离子增强化学气相沉积D. 物理化学气相沉积
题目5多选题
4.7 湿法刻蚀的刻蚀槽中加入的化学试剂有A. 氢氟酸B. 硝酸C. 硫酸D. NaOH
题目6多选题
4.12 干法刻蚀所用的原料有哪些A. O2B. N2C. CF4D. F2
题目7多选题
4.10 湿法刻蚀后需要测试的项目有A. 亲水性B. 边缘绝缘性能C. 硅片厚度D. 刻蚀减薄量
题目8多选题
6.7 减反射的效果取决于减反射膜的A. 折射率B. 厚度C. 反射率D. 入射率
题目9多选题
6.15 PECVD的目的有哪些A. 沉积减反膜B. 增加硅片对光电吸收效率C. 增加太阳电池的光电流D. 钝化多晶硅的晶界
题目10判断题
6.16 PECVD镀膜后发现薄膜颜色呈浅蓝,是因为镀膜镀薄了A. 正确B. 错误
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