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单选题 下列关于缺页处理的叙述中,错误的是( )
学科：计算机组成原理
时间：2024-12-10 07:27:02
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假定DRAM 芯片中存储阵列的行数为r、列数为c,对于一个2K×1位的DRAM芯片,为保证其地址引脚数最少,并尽量减少刷新开销,则r、c的取值分别是()A. 32,64B. 1,2048C. 64,32D. 2048,1
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若寄存器内容为10000000,若它等于-0,则为()A. 反码B. 原码C. 移码D. 补码
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一个四体并行低位交叉存储器,每个模块的容量是64Kx32位,存取周期为200ns,总线周期为50ns,在下述说法中,()是正确的A. 以上都不对B. 在200ns内,存储器能向CPU提供128位二进制信息C. 在200ns内,存储器能向CPU提供256位二进制信息D. 在50ns内,每个模块能向CPU提供32位二进制信息
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