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单选题 在强N型掺杂半导体中,当温度足够高时,载流子浓度主要由什么决定

A. 施主杂质浓度

B. 受主杂质浓度

C. 本征激发

D. 缺陷态密度

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时间：2025-11-25 07:24:06

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题目1
单选题
关于导带电子浓度(n)和价带空穴浓度(p)的乘积,以下说法正确的是
A. 与费米能级位置有关B. 仅取决于温度,与材料禁带宽度无关C. 在热平衡状态下保持恒定,与掺杂无关D. 在杂质半导体中不成立
题目2
单选题
本征半导体的费米能级位置满足
A. 始终位于禁带中央B. 当导带和价带有效态密度相等时位于禁带中央C. 靠近导带底D. 靠近价带顶
题目3
单选题
在N型半导体中,费米能级的位置通常
A. 靠近导带底B. 靠近价带顶C. 位于禁带中央D. 与掺杂浓度无关
题目4
单选题
导带电子浓度的表达式为
A. <img src="https://p.ananas.chaoxing.com/star3/origin/53b4452b3fde1dbe28d4f9879754beb1.png">B. <img src="https://p.ananas.chaoxing.com/star3/origin/2075fb5e3a5df11ca28dab8c993a94bd.png">C. <img src="https://p.ananas.chaoxing.com/star3/origin/56e0744bc55fcc68c6ef7003a58f0cd4.png">D. <img src="https://p.ananas.chaoxing.com/star3/origin/699c15e22064bea4aba2ef301b14acef.png">
题目5
单选题
有效态密度Nc和Nv与温度的关系是
A. <img src="https://p.ananas.chaoxing.com/star3/origin/fa7c4ab96fbbcef0f5d282eb20a2bcb5.png">B. <img src="https://p.ananas.chaoxing.com/star3/origin/49c8bfdcfc250673bd8037e3c50d4e44.png">C. <img src="https://p.ananas.chaoxing.com/star3/origin/de35baa5e7c4a3463c4bb93dc708b9cd.png">D. 与温度无关
题目6
单选题
在强N型掺杂半导体中,当温度足够高时,载流子浓度主要由什么决定
A. 施主杂质浓度B. 受主杂质浓度C. 本征激发D. 缺陷态密度
题目7
单选题
PN结正偏时,电流的主要成分是( )
A. 漂移电流B. 扩散电流C. 隧道电流D. 复合电流
题目8
单选题
非平衡PN结正偏时,能带图的特点是( )
A. 准费米能级分离B. 费米能级水平对齐C. 导带和价带完全重合D. 耗尽区宽度增大
题目9
单选题
反偏时,PN结少子分布的特点是( )
A. P区少子浓度高于平衡值B. N区少子浓度高于平衡值C. 少子浓度梯度趋近于零D. 少子在耗尽区被强电场抽取
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