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单选题 一个MOS场效应管的转移特性如图所示(其中漏极电流iD的方向是它的实际方向),它是_______场效应管. 
学科：模拟电子技术B
时间：2023-06-02 15:23:22
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一个MOS场效应管的转移特性如图所示(其中漏极电流iD的方向是它的实际方向),它是_______场效应管. <img src="https://edu-image.nosdn.127.net/39422F4840021351FAE64C4F5C2F048E.jpg?imageView&thumbnail=520x520&quality=100">A. N沟道耗尽型B. N沟道增强型C. P沟道增强型D. P沟道耗尽型
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在图示电路中,已知各MOS管的阈值电压çVT ç=0.5V,MOS管处于截止状态的电路是_______. <img src="https://edu-image.nosdn.127.net/55E0726BA00AFDABC2253D651F55A8BF.jpg?imageView&thumbnail=520x520&quality=100">A. 图(c)B. 图(b)和图(c)C. 图(a)和图(b)D. 图(b)
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当栅源电压为0V时,_______MOS管存在导电沟道,在正的栅源电压作用下,可以有更大的漏极电流A. N沟道耗尽型B. P沟道增强型C. JFETD. N沟道增强型
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电路如图所示.设电流源电流I=0.5mA、VDD=VSS=5V,Rd=9kΩ,CS很大,对信号可视为短路.场效应管的VT=0.8V,Kn=1<img src="https://edu-image.nosdn.127.net/04C200F698809E2E738B2C138CDFFF24.jpg?imageView&thumbnail=520x520&quality=100">,l = 0.则场效应管的gm » _______ <img src="https://nos.netease.com/edu-image/3E68B649248412C264FEEAA84DA23006.jpg?imageView&thumbnail=520x520&quality=100">A. 3.02mA/VB. 1.42 mA/VC. 3.42 mA/VD. 5.02 mA/V
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