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多选题 下列各种存储单元的电路中,读数据时属于破坏性读出的存储是( )
学科：计算机组成原理-面向2021级计算机
时间：2023-10-14 01:16:53
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题目1多选题
下列有关RAM和ROM的叙述中,正确的是( ).①RAM是易失性存储器,ROM是非易失性存储器;②RAM和ROM都采用随机存取方式进行信息访问;③RAM和ROM都可用作Cache;④RAM和ROM都需要进行刷新A. 仅②、③和④B. 仅①和②C. 仅①、②和④D. 仅②和③
题目2多选题
下列各种存储单元的电路中,读数据时属于破坏性读出的存储是( )A. 双极型存储单元B. 动态MOS四管存储单元C. 动态MOS型单管单元D. 静态MOS型六管存储单元
题目3多选题
假定一台计算机采用3通道存储总线,配套的内存条型号为DDR3-1333,即内存条所接插的存储器总线的工作频率为1333MHZ,总宽度为64位,则存储器总线的总带宽大约是( )A. 32GB/sB. 10.66GB/sC. 64GB/sD. 96GB/s
题目4多选题
某半导体14KB,按字节编址,其中0000H-1FFFH为ROM区,2000H-37FFH为RAM区,地址总线A15-A0(低),双向数据总线D7-D0(低),读写控制线R/W.可选用的存储芯片有EPROM(4KB/片)和RAM(2K×4位/片) .对各组芯片的片选逻辑表达式描述,正确的是( )A. 高地址端的RAM芯片组,片选逻辑是:A15非·A14非·A13·A12·A11非B. 低地址端的RAM芯片组,片选逻辑是:A15非·A14非·A13非·A12非·A11非C. 低地址端EPROM芯片,片选逻辑是:A15非·A14非·A13非·A12D. 高地址端EPROM芯片,片选逻辑是:A15非·A14非·A13非·A12非
题目5多选题
下列关于存储器的各项叙述,正确的是( )A. 移动硬盘是一种半导体存储器,能保存大量的数据B. 硬盘属于磁表面存储器,能长期保存数据,读数据的操作是非破坏性读出C. 动态存储器依靠双稳态电路来存储信息,需要定时刷新D. 静态存储器依靠电容来存储信息,不需要刷新,需要电源供电才能保存信息
题目6多选题
某半导体14KB,按字节编址,其中0000H-1FFFH为ROM区,2000H-37FFH为RAM区,地址总线A15-A0(低),双向数据总线D7-D0(低),读写控制线R/W.可选用的存储芯片有EPROM(4kB/片)和RAM(2K×4位/片) .下列的芯片地址线分配方案中, 描述正确的是( )A. EPROM芯片的地址线12位(A11-A0),RAM芯片地址线12位(A11-A0)B. EPROM芯片的地址线13位(A12-A0),RAM芯片地址线12位(A11-A0)C. EPROM芯片的地址线12位(A11-A0),RAM芯片地址线11位(A10-A0)D. EPROM芯片的地址线13位(A12-A0),RAM芯片地址线11位(A10-A0)
题目7多选题
下列不属于计算机存储体系的是( )A. CacheB. 外存C. 内存D. 寄存器堆
题目8多选题
对硬盘的读写操作,采用的存储器存取方式是( )A. 随机访问方式B. 直接存取方式C. 突发存取方式D. 顺序存取方式
题目9多选题
下列存储器中,在工作期间需要周期性刷新的是( )A. SDRAMB. FLASHC. SRAMD. ROM
题目10多选题
假定DRAM芯片中存储阵列的行数为r、列数为c,对于一个2K*1位的DRAM芯片,为保证其地址引脚数量最少,并尽量减少刷新开销,则r,c的取值分别是( )A. 1、2048B. 64、32C. 32、64D. 2048、1
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