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单选题 反向偏置的PN结,靠近耗尽层边界的中性区内会发生( )过程
学科：微电子器件
时间：2025-06-03 14:01:55
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题目1单选题
反向偏置的PN结,靠近耗尽层边界的中性区内会发生( )过程A. 漂移和扩散B. 扩散和复合C. 产生和扩散D. 产生和漂移
题目2单选题
理想PN结的电流是( )A. 多子漂移电流B. 复合-产生电流C. 少子扩散电流D. 多子扩散电流
题目3单选题
当以正向扩散电流为主时,PN结的IV特性在<img src="https://tihai-oss-cloud.itihey.com/img/3814abc2faf132613a190ea2c2d1b54f.png">系统中的斜率为( )A. <img src="https://tihai-oss-cloud.itihey.com/img/a1f955f1c71158fe47ac5534824306fa.png">B. <img src="https://tihai-oss-cloud.itihey.com/img/ec8f7fe437bd57b9747b82f37bac61f0.png">C. <img src="https://tihai-oss-cloud.itihey.com/img/f0ec0856fef89c26b91bb7693599f408.png">D. <img src="https://tihai-oss-cloud.itihey.com/img/f6dba71bc8a2339eb8d217b6cabc4d45.png">
题目4单选题
反向偏置情况下,除空穴扩散电流<img src="https://tihai-oss-cloud.itihey.com/img/e7f7780b13c5abf11da76bf7d40f6371.png">和电子扩散电流<img src="https://tihai-oss-cloud.itihey.com/img/efccbea2d2e1e81e346ead91df80ca26.png">外,还有( )A. 势垒区的产生电流B. 势垒区的复合电流C. 产生电流D. 复合电流
题目5填空题
当对PN结外加正向电压时,其势垒区宽度会( ),势垒区的势垒高度会( )(选择填空:增大,减小)题目6填空题
当对PN结外加反向电压时,其势垒区宽度会( ),势垒区的势垒高度会( )(选择填空:增大,减小)题目7填空题
当对PN结外加正向电压时,中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓度( );当对PN结外加反向电压时,中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓度( )(选择填空:多,少)题目8填空题
在P型中性区与耗尽区的边界上,少子浓度np与外加电压V之间的关系可表示为<img src="https://tihai-oss-cloud.itihey.com/img/4d4b55c6084317e983175dba12265464.webp">.若P型区的掺杂浓度<img src="https://tihai-oss-cloud.itihey.com/img/311b4be1610885cb0ff3c4e8ccc9e67d.webp">,外加电压V = 0.52V,则P型区与耗尽区边界上的少子浓度np为( )<img src="https://tihai-oss-cloud.itihey.com/img/ba2222fa8a8681b82c568044ee9f3449.webp"><img src="https://tihai-oss-cloud.itihey.com/img/928e39158f7df33f9027269215b3191b.webp">(小数点后1位)题目9填空题
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PN结的正向电流很大,是因为正向电流的电荷来源是( );PN结的反向电流很小,是因为反向电流的电荷来源是( ).(选择填空:多子,少子)下载 题海APP
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