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填空题
当对PN结外加正向电压时,其势垒区宽度会( ),势垒区的势垒高度会( )(选择填空:增大,减小)
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学科:
微电子器件
时间:
2025-06-03 14:01:55
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题目1
单选题
反向偏置的PN结,靠近耗尽层边界的中性区内会发生( )过程
A. 漂移和扩散
B. 扩散和复合
C. 产生和扩散
D. 产生和漂移
题目2
单选题
理想PN结的电流是( )
A. 多子漂移电流
B. 复合-产生电流
C. 少子扩散电流
D. 多子扩散电流
题目3
单选题
当以正向扩散电流为主时,PN结的IV特性在<img src="https://tihai-oss-cloud.itihey.com/img/3814abc2faf132613a190ea2c2d1b54f.png">系统中的斜率为( )
A. <img src="https://tihai-oss-cloud.itihey.com/img/a1f955f1c71158fe47ac5534824306fa.png">
B. <img src="https://tihai-oss-cloud.itihey.com/img/ec8f7fe437bd57b9747b82f37bac61f0.png">
C. <img src="https://tihai-oss-cloud.itihey.com/img/f0ec0856fef89c26b91bb7693599f408.png">
D. <img src="https://tihai-oss-cloud.itihey.com/img/f6dba71bc8a2339eb8d217b6cabc4d45.png">
题目4
单选题
反向偏置情况下,除空穴扩散电流<img src="https://tihai-oss-cloud.itihey.com/img/e7f7780b13c5abf11da76bf7d40f6371.png">和电子扩散电流<img src="https://tihai-oss-cloud.itihey.com/img/efccbea2d2e1e81e346ead91df80ca26.png">外,还有( )
A. 势垒区的产生电流
B. 势垒区的复合电流
C. 产生电流
D. 复合电流
题目5
填空题
当对PN结外加正向电压时,其势垒区宽度会( ),势垒区的势垒高度会( )(选择填空:增大,减小)
题目6
填空题
当对PN结外加反向电压时,其势垒区宽度会( ),势垒区的势垒高度会( )(选择填空:增大,减小)
题目7
填空题
当对PN结外加正向电压时,中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓度( );当对PN结外加反向电压时,中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓度( )(选择填空:多,少)
题目8
填空题
在P型中性区与耗尽区的边界上,少子浓度np与外加电压V之间的关系可表示为<img src="https://tihai-oss-cloud.itihey.com/img/4d4b55c6084317e983175dba12265464.webp">.若P型区的掺杂浓度<img src="https://tihai-oss-cloud.itihey.com/img/311b4be1610885cb0ff3c4e8ccc9e67d.webp">,外加电压V = 0.52V,则P型区与耗尽区边界上的少子浓度np为( )<img src="https://tihai-oss-cloud.itihey.com/img/ba2222fa8a8681b82c568044ee9f3449.webp"><img src="https://tihai-oss-cloud.itihey.com/img/928e39158f7df33f9027269215b3191b.webp">(小数点后1位)
题目9
填空题
PN结的正向电流由( )电流、( )电流和( )电流三部分所组成.(选择填空,电子扩散,空穴扩散,势垒区复合,势垒区产生)
题目10
填空题
PN结的正向电流很大,是因为正向电流的电荷来源是( );PN结的反向电流很小,是因为反向电流的电荷来源是( ).(选择填空:多子,少子)
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