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单选题 掺杂结束后要对硅片进行质星检测,造成硅片表面有颗粒污染的原因可能是( )
学科：集成电路制造工艺
时间：2023-12-19 01:29:26
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题目1单选题
掺杂结束后要对硅片进行质星检测,造成硅片表面有颗粒污染的原因可能是( )A. 离子束中混入电子B. 注入机未清洗干净C. 注入过程中晶圆的倾斜角度不合适D. 离子束电流检测不够精确
题目2单选题
( )是指按照一定的方式将杂质掺入到半导体等材科中,改变材料电学性质,达到形成半导体器件的目的A. 光刻B. 掺杂C. 刻蚀D. 金属化
题目3单选题
( )的目的是把注入的杂质原子电离成离子,形成注入离子束,并输出具有一定动能的正离子束A. 离子源B. 磁分析器C. 加速管D. 靶室
题目4单选题
利用高温驱动杂质渗透进半导体内,此工序采用的设备是( )A. 扩散炉B. 离子注入机C. 加热平板D. 对流烘箱
题目5多选题
在离子注入完成后,检验到硅片表面有颗粒污染严重的情况,该情况引起的主要问题( )A. 在局部阻挡掺杂B. 对器件结构造成连接或短路C. 对微小器件结构造成沟型损伤D. 整片硅片报废
题目6多选题
回态源扩散的杂质源有( )A. 硼酸三甲酯B. 氮化硼C. 硼D. 磷微晶玻璃片
题目7多选题
退火的目的是( )A. 激活杂质B. 修复晶格损伤C. 抑制沟道效应D. 抑制离子碰撞
题目8多选题
离子注入的缺点有( )A. 注入杂质分布各向同性B. 不能独立控制结深和浓度C. 可造成表面损伤D. 设备价格较昂贵
题目9多选题
以下是离子注入过程中的主要参数的是( )A. 剂量与束流密度B. 射程与注入能量C. 注入角度D. 晶圆
题目10多选题
离子注入机扫描系统中,采用的扫描方式有( )A. 静电扫描B. 机械扫描C. 混合扫描D. 平行扫描
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