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单选题 LOCOS 工艺属于
学科：默认课程
时间：2024-01-04 06:13:28
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题目1单选题
在反应离子刻蚀(RIE)中发生的反应是A. 化学反应B. 物理和化学反应C. 以上都不是D. 物理反应
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掩膜板衬底的透光性对光刻效果有着重要影响,对于最小尺寸小于1um的图案,应选择( )A. 苏打玻璃B. 白冕玻璃C. 石英玻璃D. 菲林胶片
题目3单选题
扩散掺杂,扩散区要比掩膜窗口尺寸( ),这是( )效应引起的,它直接影响超大规模集成电路的集成度A. 大,氧化增强B. 大,横向扩散C. 大,场助扩散D. 小,横向扩散
题目4单选题
LOCOS 工艺属于A. 光刻工艺B. 平坦化工艺C. 隔离工艺D. 掺杂工艺
题目5单选题
双极晶体管有( )个引脚A. 2个,基极和发射极B. 2个,发射极和集电极C. 4个,栅极、源极、漏极、基极D. 3个,发射极、基极、集电极
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热氧化在硅片制造中的用途不包括( )A. 源漏掺杂B. 掺杂阻挡C. 金属层间介质D. 浅槽隔离
题目7单选题
为了避免尖楔现象用含1%硅的硅铝合计制备IC内电极,多采用下列哪种方法( )A. 反应溅射B. 磁控溅射C. LPCVDD. PECVD
题目8单选题
单晶硅刻蚀一般采用( )做掩蔽层A. 二氧化硅B. 光刻胶C. 金属D. 多晶硅
题目9单选题
电子束蒸镀物理淀积(EDPVD)一般可用于( )薄膜的制备A. 金B. 二氧化硅SiO2C. 氮化硅Si3N4D. 多晶硅PSG
题目10单选题
通常,掩蔽膜氧化采用的工艺方法为( )A. 掺氯氧化B. 低压氧化C. 干氧-湿氧-干氧D. 干氧
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