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单选题 为了避免尖楔现象用含1%硅的硅铝合计制备IC内电极,多采用下列哪种方法( )
A. 反应溅射
B. 磁控溅射
C. LPCVD
D. PECVD
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时间:2024-01-06 06:06:27
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