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单选题 通常,掩蔽膜氧化采用的工艺方法为( )
学科：默认课程
时间：2024-01-06 06:06:28
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题目5单选题
双极晶体管有( )个引脚A. 2个,基极和发射极B. 2个,发射极和集电极C. 4个,栅极、源极、漏极、基极D. 3个,发射极、基极、集电极
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为了避免尖楔现象用含1%硅的硅铝合计制备IC内电极,多采用下列哪种方法( )A. 反应溅射B. 磁控溅射C. LPCVDD. PECVD
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题目9单选题
电子束蒸镀物理淀积(EDPVD)一般可用于( )薄膜的制备A. 金B. 二氧化硅SiO2C. 氮化硅Si3N4D. 多晶硅PSG
题目10单选题
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