A. 离子注入的横向扩散很大,不利于提高IC集成度

B. 离子注入的工艺温度更高

C. 离子注入能更精确地控制掺杂的浓度分布和掺杂深度

D. 离子注入受到杂质在衬底材料中固溶度的影响,掺杂元素的挑选范围窄