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单选题 IMP工艺中VT IMP注入的要求是
学科：半导体制造工艺与技术（含专业英语）
时间：2025-11-16 13:08:33
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题目1单选题
关于离子注入过程中需要注意的事项,下列哪个说法是错误的A. 离子注入会导致晶圆带电,需要用电子予以中和B. 晶圆表面颗粒污染会阻挡离子束,对良品率造成影响C. 离子注入工艺可以轻松将各种掺杂离子区分开来,可以杜绝其它杂质元素污染D. 离子注入工艺中使用的气体几乎全部是剧毒或易燃易爆气体,操作时需要严格遵守安全章程
题目2单选题
离子注入掺杂与扩散掺杂相比,下列说法正确的是A. 离子注入的横向扩散很大,不利于提高IC集成度B. 离子注入的工艺温度更高C. 离子注入能更精确地控制掺杂的浓度分布和掺杂深度D. 离子注入受到杂质在衬底材料中固溶度的影响,掺杂元素的挑选范围窄
题目3单选题
离子注入过程是一个非平衡过程,高能离子进入靶后,不断与原子核及其核外电子碰撞,逐步损失能量,最后停下来.停下来的位置是随机的,大部分不在晶格上,因而没有什么A. 电活性B. 晶格损伤C. 横向效应D. 沟道效应
题目4单选题
关于离子注入系统中离子选择描述错误的是A. 氟化硼离化产生的单个硼离子是晶圆所需要的B. 质谱分析仪会产生磁场,不同种类的离子以15 ~ 40keV的能量离开离化子系统C. 每一种带负电的离子都会被以特定的半径沿弧形扭转,并和硼离子一起通过狭缝D. 在有些系统中,被加速后对产生质量干扰的离子还会进行分析
题目5单选题
IMP工艺中Well IMP注入的要求是A. 高能及低剂量B. 低能及高剂量C. 低能及低剂量
题目6单选题
IMP工艺中VT IMP注入的要求是A. 高能及低剂量B. 低能及高剂量C. 低能及低剂量
题目7单选题
离子注入工艺的3个主要工艺评估方法包括A. XRDB. 热波法C. 四探针法D. TXRFE. SIMS
题目8单选题
P WeLL 离子注入会使用到以下哪种SpeciesA. Sb+B. B++C. As+
题目9单选题
在离子注入工艺中,哪种退火方式可以更有效地减少杂质扩散A. 常规退火B. 尖峰退火C. 激光退火D. 以上都不是
题目10单选题
在离子注入工艺中,哪种退火方式更适合局部处理A. 尖峰退火B. 激光退火C. 常规退火D. 以上都不是
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