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单选题 晶圆FAB OUT前,需要做什么测试
学科：集成电路制造技术原理与工艺
时间：2024-12-09 09:37:51
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沟道长度减小到一定程度后,出现的一系列二级物理效应统称为短沟道效应.这些二级物理效应包括:(a)短沟道器件阈值电压对沟道长度的变化非常敏感和(b)热载流子效应.为了降低峰值电场,抑制短沟MOSFET热载流子效应,一般采用()A. 深沟槽隔离技术B. 浅深沟槽隔离技术C. 局部氧化技术D. 漏端轻掺杂(LDD)技术
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是什么因素影响LOCOS工艺在先进工艺的应用()A. 鸟嘴效应B. 价格贵C. 集成度低D. 与先进工艺不兼容
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题目10多选题
改善漏致势垒降低效应的方法有()A. 源漏离子注入B. 提高PW掺杂浓度C. 提高沟道掺杂浓度D. 晕环(Halo)/口袋(Pocket)离子注入
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