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单选题 沟道长度减小到一定程度后,出现的一系列二级物理效应统称为短沟道效应.这些二级物理效应包括:(a)短沟道器件阈值电压对沟道长度的变化非常敏感和(b)热载流子效应.为了降低峰值电场,抑制短沟MOSFET热载流子效应,一般采用()
A. 深沟槽隔离技术
B. 浅深沟槽隔离技术
C. 局部氧化技术
D. 漏端轻掺杂(LDD)技术
学科:集成电路制造技术原理与工艺
时间:2024-12-09 09:37:51
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