题海让大学四年没有难题
白天模式登陆

题目详情

单选题 沟道长度减小到一定程度后,出现的一系列二级物理效应统称为短沟道效应.这些二级物理效应包括:(a)短沟道器件阈值电压对沟道长度的变化非常敏感和(b)热载流子效应.为了降低峰值电场,抑制短沟MOSFET热载流子效应,一般采用()

A. 深沟槽隔离技术

B. 浅深沟槽隔离技术

C. 局部氧化技术

D. 漏端轻掺杂(LDD)技术

集成电路制造技术原理与工艺课程封面

学科:集成电路制造技术原理与工艺

时间:2024-12-09 09:37:51

Copyright © 2022 津ICP备2021001502号