登陆题目详情
多选题 轻掺杂漏(LDD)离子注入后,为什么要进行退火()
学科：集成电路制造技术原理与工艺
时间：2024-12-09 16:27:40
相关题目
相关作业
题目1单选题
晶圆FAB OUT前,需要做什么测试A. WAT测试B. FT测试C. HTOL测试
题目2单选题
CMOS工艺的晶圆衬底材料是什么类型A. N-sub 晶圆B. 本征半导体晶圆C. P-sub 晶圆
题目3单选题
用铝合金做金属互连的目的是什么A. 降低铝的电阻率B. 抗电迁移C. 与Ti层形成良好键合
题目4单选题
为什么要用大马士革结构实现铜互连A. 光刻胶会污染铜,形成缺陷B. 没有一种有效的刻蚀铜的方法C. 大马士革结构可以防止铜扩散
题目5单选题
沟道长度减小到一定程度后,出现的一系列二级物理效应统称为短沟道效应.这些二级物理效应包括:(a)短沟道器件阈值电压对沟道长度的变化非常敏感和(b)热载流子效应.为了降低峰值电场,抑制短沟MOSFET热载流子效应,一般采用()A. 深沟槽隔离技术B. 浅深沟槽隔离技术C. 局部氧化技术D. 漏端轻掺杂(LDD)技术
题目6单选题
局部氧化(local oxidation of silicon,LOCOS)隔离同时解决了,器件隔离和寄生器件形成两个问题.工艺简单易行,且隔离密度显著高于 p-n 结隔离.缺点是表面有高台阶,使后续工艺的台阶覆盖差,影响光刻质量,形成鸟嘴(bird's beak),以及()A. 减小器件表观宽B. 增加器件表观宽度C. 减小器件有效宽度D. 增加器件有效宽度
题目7多选题
轻掺杂漏(LDD)离子注入后,为什么要进行退火()A. 结深推进B. 激活杂质C. 修复损伤D. 形成氧化层
题目8多选题
是什么因素影响LOCOS工艺在先进工艺的应用()A. 鸟嘴效应B. 价格贵C. 集成度低D. 与先进工艺不兼容
题目9多选题
为什么铜制程工艺的最后一层金属是铝材料()A. 铜很容易在硅和硅化物中扩散,铜扩散到衬底会导致重金属污染,影响器件的性能B. 铜很难粘附在硅化物上C. 铜是软金属,不能作为绑定的金属D. 铜在空气中抗腐蚀能力很差,它不能形成致密的氧化物
题目10多选题
改善漏致势垒降低效应的方法有()A. 源漏离子注入B. 提高PW掺杂浓度C. 提高沟道掺杂浓度D. 晕环(Halo)/口袋(Pocket)离子注入
下载 题海APP
拍照搜题更快捷
- 海量题库
- 无搜索限制
- 快捷拍照搜题
