题海让大学四年没有难题
白天模式登陆

题目详情

多选题 为什么铜制程工艺的最后一层金属是铝材料()

A. 铜很容易在硅和硅化物中扩散,铜扩散到衬底会导致重金属污染,影响器件的性能

B. 铜很难粘附在硅化物上

C. 铜是软金属,不能作为绑定的金属

D. 铜在空气中抗腐蚀能力很差,它不能形成致密的氧化物

集成电路制造技术原理与工艺课程封面

学科：集成电路制造技术原理与工艺

时间：2024-12-09 16:27:40

相关题目

相关作业

题目1
单选题
晶圆FAB OUT前,需要做什么测试
A. WAT测试B. FT测试C. HTOL测试
题目2
单选题
CMOS工艺的晶圆衬底材料是什么类型
A. N-sub 晶圆B. 本征半导体晶圆C. P-sub 晶圆
题目3
单选题
用铝合金做金属互连的目的是什么
A. 降低铝的电阻率B. 抗电迁移C. 与Ti层形成良好键合
题目4
单选题
为什么要用大马士革结构实现铜互连
A. 光刻胶会污染铜,形成缺陷B. 没有一种有效的刻蚀铜的方法C. 大马士革结构可以防止铜扩散
题目5
单选题
沟道长度减小到一定程度后,出现的一系列二级物理效应统称为短沟道效应.这些二级物理效应包括:(a)短沟道器件阈值电压对沟道长度的变化非常敏感和(b)热载流子效应.为了降低峰值电场,抑制短沟MOSFET热载流子效应,一般采用()
A. 深沟槽隔离技术B. 浅深沟槽隔离技术C. 局部氧化技术D. 漏端轻掺杂(LDD)技术
题目6
单选题
局部氧化(local oxidation of silicon,LOCOS)隔离同时解决了,器件隔离和寄生器件形成两个问题.工艺简单易行,且隔离密度显著高于 p-n 结隔离.缺点是表面有高台阶,使后续工艺的台阶覆盖差,影响光刻质量,形成鸟嘴(bird's beak),以及()
A. 减小器件表观宽B. 增加器件表观宽度C. 减小器件有效宽度D. 增加器件有效宽度
题目7
多选题
轻掺杂漏(LDD)离子注入后,为什么要进行退火()
A. 结深推进B. 激活杂质C. 修复损伤D. 形成氧化层
题目8
多选题
是什么因素影响LOCOS工艺在先进工艺的应用()
A. 鸟嘴效应B. 价格贵C. 集成度低D. 与先进工艺不兼容
题目9
多选题
为什么铜制程工艺的最后一层金属是铝材料()
A. 铜很容易在硅和硅化物中扩散,铜扩散到衬底会导致重金属污染,影响器件的性能B. 铜很难粘附在硅化物上C. 铜是软金属,不能作为绑定的金属D. 铜在空气中抗腐蚀能力很差,它不能形成致密的氧化物
题目10
多选题
改善漏致势垒降低效应的方法有()
A. 源漏离子注入B. 提高PW掺杂浓度C. 提高沟道掺杂浓度D. 晕环(Halo)/口袋(Pocket)离子注入
Copyright © 2022 津ICP备2021001502号