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单选题 局部氧化(local oxidation of silicon,LOCOS)隔离同时解决了,器件隔离和寄生器件形成两个问题.工艺简单易行,且隔离密度显著高于 p-n 结隔离.缺点是表面有高台阶,使后续工艺的台阶覆盖差,影响光刻质量,形成鸟嘴(bird's beak),以及()
学科：集成电路制造技术原理与工艺
时间：2024-12-09 09:37:51
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